碳化硅磚具有高度的共價鍵結合特性（共價鍵占有率為90%），故有良好的化學穩(wěn)定性，同時略次于金剛石的硬度也使其具備了優(yōu)良的耐磨性，此外碳化硅磚還有較高的高溫強度、高熱導、低膨脹率和良好的抗熱震等性能。

SiC最初被廣泛地應用于磨料工業(yè)，目前大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅材料基本上采用電熔解法      

SiO2+3c→SiC+2CO—620KJ/mo

目前在耐火材料方面主要有兩個領域的應用，一是以碳化硅為基的耐火材料系列：二是作為添加劑改善氧化物耐火材料的性能。作為添加氧化鋁基（AL2O3）耐火材料系統(tǒng)中，將改善鋁質耐火材料的耐火度、高溫強度、熱穩(wěn)定性，尤其是抗熱震性能的提高。

碳化硅磚是共價鍵性極強的化合物，在高溫狀態(tài)下仍可以保持高的鍵合強度，強度降低不明顯，高溫變形小，且導熱性好，熱膨脹系數(shù)小，熱震穩(wěn)定性好。由此，碳化硅材料被認為是一種很優(yōu)異的高溫結構材料和耐火材料。但是，碳化硅磚是一種非氧化物材料，在高溫、氧化條件下，不可避免的帶來氧化問題

雖然SiC的氧化產(chǎn)物，SiO2保護膜，可以阻止氧化的進一步發(fā)生但是約在800℃—1140℃SiO2膜會因相變而產(chǎn)生體積變化，從而使其結構變得疏松，氧化保護作用驟減：另外，在一定條件下，SiO2保護膜還無法形成。這都將導致碳化硅材料的使用性能降低，影響它的使用壽命。

碳化硅磚在普通條件下（如大氣1000℃-2000℃）具有較好的抗氧化性能，這是由于在高溫條件下，碳化硅材料表面形成了一層非常薄的、致密的、與基體集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的擴散系數(shù)非常小，因此碳化硅材料的氧化非常緩慢。碳化硅材料在這種富氧條件下的緩慢氧化稱為惰性氧化。但在某些條件下，如在足夠高的溫度下或較低的氧分壓下，SiC轉化為揮發(fā)性的SiO2保護膜被環(huán)境腐蝕，這將導致碳化硅材料被快速氧化，即產(chǎn)生活性氧化。而碳化硅材料在使用過程中經(jīng)常會遇到這種環(huán)境。